鈀靶材的制作方法

目前靶材的制備主要有鑄造法和粉末冶金法。

鑄造法：將一定成分配比的合金原料熔煉，再將合金溶液澆注于模具中，形成鑄錠，最后經機械加工制成靶材，鑄造法在真空中熔煉、鑄造。常用的熔煉方法有真空感應熔煉、真空電弧熔煉和真空電子轟擊熔煉等，其優點是靶材雜質含量(特別是氣體雜質含量)低，密度高，可大型化;缺點是對熔點和密度相差較大的兩種或兩種以上金屬，普通熔煉法難以獲得成分均勻的合金靶材。

粉末冶金法：將一定成分配比的合金原料熔煉，澆注成鑄錠后再粉碎，將粉碎形成的粉末經等靜壓成形，再高溫燒結，較終形成靶材，其優點是靶材成分均勻;缺點是密度低，雜質含量高等，常用的粉末冶金工藝包括冷壓、真空熱壓和熱等靜壓等。

一、根據不同材質靶材可分為：金屬靶材，陶瓷(氧化物、氮化物等)靶材，合金靶材。

二、根據不同應用方向可分為(了解)

1、半導體關聯靶材：

電極、布線薄膜：鋁靶材，銅靶材，金靶材，銀靶材，鈀靶材，鉑靶材，鋁硅合金靶材，鋁硅銅合金靶材等。

儲存器電極薄膜：鉬靶材，鎢靶材，鈦靶材等。

粘附薄膜：鎢靶材，鈦靶材等。

電容器絕緣膜薄膜：鋯鈦酸鉛靶材等。

2、磁記錄靶材：

垂直磁記錄薄膜：鈷鉻合金靶材等。

硬盤用薄膜：鈷鉻鉭合金靶材，鈷鉻鉑合金靶材，鈷鉻鉭鉑合金靶材等。

薄膜磁頭：鈷鉭鉻合金靶材，鈷鉻鋯合金靶材等。

人工晶體薄膜：鈷鉑合金靶材，鈷鈀合金靶材等。

3、光記錄靶材：

相變光盤記錄薄膜：硒化碲靶材，硒化銻靶材，鍺銻碲合金靶材，鍺碲合金靶材等。

磁光盤記錄薄膜：鏑鐵鈷合金靶材，鋱鏑鐵合金靶材，鋱鐵鈷合金靶材，氧化鋁靶材，氧化鎂靶材，氮化硅靶材等。

光盤反射薄膜：鋁靶材，鋁鈦合金靶材，鋁鉻合金靶材，金靶材，金合金靶材等。

光盤保護薄膜：氮化硅靶材，氧化硅靶材，硫化鋅靶材等。

4、顯示靶材：

透明導電薄膜：氧化銦錫靶材，氧化鋅鋁靶材等。

電極布線薄膜：鉬靶材，鎢靶材，鈦靶材，鉭靶材，鉻靶材，鋁靶材，鋁鈦合金靶材，鋁鉭合金靶材等。

電致發光薄膜：硫化鋅摻錳靶材，硫化鋅摻鋱靶材，硫化鈣摻銪靶材，氧化釔靶材，氧化鉭靶材，鈦酸鋇靶材等。

5、其他應用靶材：

裝飾薄膜：鈦靶材，鋯靶材，鉻靶材，鈦鋁合金靶材，不銹鋼靶材等。

低電阻薄膜：鎳鉻合金靶材，鎳鉻硅合金靶材，鎳鉻鋁合金靶材，鎳銅合金靶材等。

**導薄膜：釔鋇銅氧靶材，鉍鍶鈣銅氧靶材等。

工具鍍薄膜：氮化物靶材，碳化物靶材，硼化物靶材，鉻靶材，鈦靶材，鈦鋁合金靶材，鋯靶材，石墨靶材等。